苹果公司(Apple Inc. )是美国的一家高科技公司。由史蒂夫·乔布斯、斯蒂夫·沃兹尼亚克和罗·韦恩(Ron Wayne)等三人于1976年4月1日创立，下面是小编带来的关于iphone6内存分别有多大的内容，欢迎阅读!

iphone6内存分别有多大：

iPhone6的运存内存是1GB RAM，存储容量方面则提供16GB/64GB/128GB ROM。

硬件方面，iPhone6 Plus采用苹果A8+M8运动协处理器，主频为1.4GHz。iPhone6 Plus背后天线系统覆盖到机身中框，弧面的金属中框不仅加强机身整体圆润感，平衡机身设计美学的同时，也减少手机不慎跌落时对机身的缓冲力。

iPhone6 Plus采用了一颗800万像素的摄像头，每个像素大小1.5微米，最大光圈f/2.2，并采用全新传感器，保留了双色温闪光灯之外还内置了全新的对焦技术。iPhone6 Plus加入了光学防抖功能，使防抖能力以及弱光拍摄表现得到很大提升。

系统方面，iPhone6 Plus搭载iOS 8系统。虽然的界面风格上与iOS7区别不大，但iOS8系统更加开放与人性化。在锁屏状态下送短消息时，支持在锁屏状态下直接回复短信。另外在多任务栏，也可直接显示最近的联系人名片，并支持自定义编辑。可以直接给他们发邮件、打电话等，大大增强了iOS的效率。

iPhone手机的所有配件都是一体安装的，无法改装。可以通过外接iPhone专用优盘实现扩容的效果，比如“觅果”这款产品。

提示：可以通过售后维修进行修理，价格较高，平时多清理手机缓存和没必要的软件。

iPhone 6是苹果公司(Apple)在2014年9月9日推出的一款手机，已于2014年9月19日正式上市。

iPhone 6采用4.7英寸屏幕，分辨率为1334*750像素，内置64位构架的苹果A8处理器，性能提升非常明显;同时还搭配全新的M8协处理器，专为健康应用所设计;采用后置800万像素镜头，前置120万像素 鞠昀摄影FaceTime HD 高清摄像头;并且加入Touch ID支持指纹识别，首次新增NFC功能;也是一款三网通手机，4G LTE连接速度可达150Mbps，支持多达20个LTE频段。

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DDR31.突发长度(Burst Length，BL)

由于DDR3的预取为8bit，所以突发传输周期(Burst Length，BL)也固定为8，而对于DDR2和早期的DDR架构系统，BL=4也是常用的，DDR3为此增加了一个4bit Burst Chop(突发突变)模式，即由一个BL=4的读取操作加上一个BL=4的写入操作来合成一个BL=8的数据突发传输，届时可通过A12地址线来控制这一突发模式。而且需要指出的是，任何突发中断操作都将在DDR3内存中予以禁止，且不予支持，取而代之的是更灵活的突发传输控制(如4bit顺序突发)。

2.寻址时序(Timing)

就像DDR2从DDR转变而来后延迟周期数增加一样，DDR3的CL周期也将比DDR2有所提高。DDR2的CL范围一般在2～5之间，而DDR3则在5～11之间，且附加延迟(AL)的设计也有所变化。DDR2时AL的范围是0～4，而DDR3时AL有三种选项，分别是0、CL-1和CL-2。另外，DDR3还新增加了一个时序参数——写入延迟(CWD)，这一参数将根据具体的工作频率而定。

3.DDR3新增的重置(Reset)功能

重置是DDR3新增的一项重要功能，并为此专门准备了一个引脚。DRAM业界很早以前就要求增加这一功能，如今终于在DDR3上实现了。这一引脚将使DDR3的初始化处理变得简单。当Reset命令有效时，DDR3内存将停止所有操作，并切换至最少量活动状态，以节约电力。

在Reset期间，DDR3内存将关闭内在的大部分功能，所有数据接收与发送器都将关闭，所有内部的程序装置将复位，DLL(延迟锁相环路)与时钟电路将停止工作，而且不理睬数据总线上的任何动静。这样一来，将使DDR3达到最节省电力的目的。

4.DDR3新增ZQ校准功能

ZQ也是一个新增的脚，在这个引脚上接有一个240欧姆的低公差参考电阻。这个引脚通过一个命令集，通过片上校准引擎(On-Die Calibration Engine，ODCE)来自动校验数据输出驱动器导通电阻与ODT的终结电阻值。当系统发出这一指令后，将用相应的时钟周期(在加电与初始化之后用512个时钟周期，在退出自刷新操作后用256个时钟周期、在其他情况下用64个时钟周期)对导通电阻和ODT电阻进行重新校准。

5.参考电压分成两个

在DDR3系统中，对于内存系统工作非常重要的参考电压信号VREF将分为两个信号，即为命令与地址信号服务的VREFCA和为数据总线服务的VREFDQ，这将有效地提高系统数据总线的信噪等级。

6.点对点连接(Point-to-Point，P2P)

这是为了提高系统性能而进行的重要改动，也是DDR3与DDR2的一个关键区别。在DDR3系统中，一个内存控制器只与一个内存通道打交道，而且这个内存通道只能有一个插槽，因此，内存控制器与DDR3内存模组之间是点对点(P2P)的关系(单物理Bank的模组)，或者是点对双点(Point-to-two-Point，P22P)的关系(双物理Bank的模组)，从而大大地减轻了地址/命令/控制与数据总线的负载。而在内存模组方面，与DDR2的类别相类似，也有标准DIMM(台式PC)、SO-DIMM/Micro-DIMM(笔记本电脑)、FB-DIMM2(服务器)之分，其中第二代FB-DIMM将采用规格更高的AMB2(高级内存缓冲器)。

面向64位构架的DDR3显然在频率和速度上拥有更多的优势，此外，由于DDR3所采用的根据温度自动自刷新、局部自刷新等其它一些功能，在功耗方面DDR3也要出色得多，因此，它可能首先受到移动设备的欢迎，就像最先迎接DDR2内存的不是台式机而是服务器一样。在CPU外频提升最迅速的PC台式机领域，DDR3未来也是一片光明。目前Intel预计在明年第二季所推出的新芯片-熊湖(Bear Lake)，其将支持DDR3规格，而AMD也预计同时在K9平台上支持DDR2及DDR3两种规格。

内存异步工作模式包含多种意义，在广义上凡是内存工作频率与CPU的外频不一致时都可以称为内存异步工作模式。首先，最早的内存异步工作模式出现在早期的主板芯片组中，可以使内存工作在比CPU外频高33MHz或者低33MHz的模式下(注意只是简单相差33MHz)，从而可以提高系统内存性能或者使老内存继续发挥余热。其次，在正常的工作模式(CPU不超频)下，目前不少主板芯片组也支持内存异步工作模式，例如Intel 910GL芯片组，仅仅只支持533MHz FSB即133MHz的CPU外频，但却可以搭配工作频率为133MHz的DDR 266、工作频率为166MHz的DDR 333和工作频率为200MHz的DDR 400正常工作(注意此时其CPU外频133MHz与DDR 400的工作频率200MHz已经相差66MHz了)，只不过搭配不同的内存其性能有差异罢了。

再次，在CPU超频的情况下，为了不使内存拖CPU超频能力的后腿，此时可以调低内存的工作频率以便于超频，例如AMD的Socket 939接口的Opteron 144非常容易超频，不少产品的外频都可以轻松超上300MHz，而此如果在内存同步的工作模式下，此时内存的等效频率将高达DDR 600，这显然是不可能的，为了顺利超上300MHz外频，我们可以在超频前在主板BIOS中把内存设置为DDR 333或DDR 266，在超上300MHz外频之后，前者也不过才DDR 500(某些极品内存可以达到)，而后者更是只有DDR 400(完全是正常的标准频率)，由此可见，正确设置内存异步模式有助于超频三代内存的区别成功。

目前的主板芯片组几乎都支持内存异步，英特尔公司从810系列到目前较新的875系列都支持，而威盛公司则从693芯片组以后全部都提供了此功能。