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英特尔高级副总裁兼生产制造事业部总经理SunlinChou先生说："英 特尔新型的一平方微米SRAM单元为硅技术确立新的密度标准。这一结果使我们在微处理器和其它产品的0.09微米制造工艺方面居于领先地位。"

通过使用新型0.09微米制造工艺，英特尔保持了每两年推出一代新工艺的记录。公司将使用这一工艺生产许多其它产品，包括处理器、芯片组和通信产品。英特尔计划只将0.09微米工艺应用在300毫米(12英寸)晶圆上。

全球最小的SRAM芯片单元

英特尔研究人员制造出的52Mb存储芯片(能够存储5200万独立比特的信息)，在仅为109平方毫米的芯片上集成有3.3亿颗晶体管--比一个一角美元硬币还小。这是迄今为止报道过的容量最大的SRAM。

这些芯片在英特尔位于俄勒岗州Hillsboro的300毫米开发工厂(D1C)制造，配合使用先进的193纳米和248纳米液相工具。

制造SRAM芯片是业界常用的测试下一代逻辑制造工艺的方式。存储单元的尺寸大小非常重要，因为这使得英特尔可以通过添加更多的片上缓存，增加整体逻辑密度，经济有效地提升微处理器性能。成功生产SRAM同时显示了使用0.09微米工艺生产微处理器时所需要的全部特性都已经成熟，其中包括高性能晶体管及高速铜线互连。

美国IBM公司、AMD以及纽约州立大学Albany分校的纳米科学与工程学院(CNSE)等机构共同宣布，世界上首个22纳米节点有效静态随机存储器(SRAM)研制成功。这也是全世界首次宣布在300毫米研究设备环境下，制造出有效存储单元。 SRAM芯片是更复杂的设备，比如微处理器的“先驱”。SRAM单元的尺寸更是半导体产业中的关键技术指标。最新的SRAM单元利用传统的六晶体管设计，仅占0.1平方微米，打破了此前的SRAM尺度缩小障碍。 新的研究工作是在纽约州立大学Albany分校的纳米科学与工程学院(CNSE)完成的，IBM及其他伙伴的许多顶尖的半导体研究都在这里进行。IBM科技研发部副总裁T.C. Chen博士称，“我们正在可能性的终极边缘进行研究，朝着先进的下一代半导体技术前进。新的研究成果对于不断驱动微电子设备小型化的追求，可以说至关重要。”

22纳米是芯片制造的下两代，而下一代是32纳米。在这方面，IBM及合作伙伴正在发展它们无与伦比的32纳米高K金属栅极工艺(high-K metal gate technology)。

从传统上而言，SRAM芯片通过缩小基本构建单元，来制造得更加紧密。IBM联盟的研究人员优化了SRAM单元的设计和电路图，从而提升了稳定性，此外，为了制造新型SRAM单元，他们还开发出几种新的制作工艺流程。研究人员利用高NA浸没式光刻(high-NA immersion lithography)技术刻出了模式维度和密度，并且在先进的300毫米半导体研究环境中制作了相关部件。

与SRAM单元相关的关键技术包括：边带高K金属栅极、<25纳米栅极长度晶体管、超薄隔离结构(spacer)、共同掺杂、先进激活技术、极薄硅化物膜以及嵌入式铜触点等。

据悉，在2008年12月15至17日美国旧金山将要举行的IEEE国际电子设备(IEDM)年会上，还会有专门的报告来介绍最新成果的细节。