内存条芯片的参数是什么意思你们清楚吗?不知道的话跟着小编一起来学习了解内存条芯片的参数是什么意思。

内存条芯片的参数介绍

整个DDR SDRAM颗粒的编号，一共是由14组数字或字母组成，他们分别代表内存的一个重要参数，了解了他们，就等于了解了现代内存。

颗粒编号解释如下：

1. HY是HYNIX的简称，代表着该颗粒是现代制造的产品。

2. 内存芯片类型：(5D=DDR SDRAM)

3. 处理工艺及供电：(V：VDD=3.3V & VDDQ=2.5V;U：VDD=2.5V & VDDQ=2.5V;W：VDD=2.5V & VDDQ=1.8V;S：VDD=1.8V & VDDQ=1.8V)

4. 芯片容量密度和刷新速度：(64：64M 4K刷新;66：64M 2K刷新;28：128M 4K刷新;56：256M 8K刷新;57：256M 4K刷新;12：512M 8K刷新;1G：1G 8K刷新)

5. 内存条芯片结构：(4=4颗芯片;8=8颗芯片;16=16颗芯片;32=32颗芯片)

6. 内存bank(储蓄位)：(1=2 bank;2=4 bank;3=8 bank)

7. 接口类型：(1=SSTL_3;2=SSTL_2;3=SSTL_18)

8. 内核代号：(空白=第1代;A=第2代;B=第3代;C=第4代)

9. 能源消耗：(空白=普通;L=低功耗型)

10. 封装类型：(T=TSOP;Q=LOFP;F=FBGA;FC=FBGA(UTC:8x13mm))

11. 封装堆栈：(空白=普通;S=Hynix;K=M&T;J=其它;M=MCP(Hynix);MU=MCP(UTC))

12. 封装原料：(空白=普通;P=铅;H=卤素;R=铅+卤素)

13. 速度：(D43=DDR400 3-3-3;D4=DDR400 3-4-4;J=DDR333;M=DDR333 2-2-2;K=DDR266A;H=DDR266B;L=DDR200)

14. 工作温度：(I=工业常温(-40 - 85度);E=扩展温度(-25 - 85度))

由上面14条注解，我们不难发现，其实最终我们只需要记住2、3、6、13等几处数字的实际含义，就能轻松实现对使用现代DDR SDRAM内存颗粒的产品进行辨别。尤其是第13位数字，它将明确的告诉消费者，这款内存实际的最高工作状态是多少。假如，消费者买到一款这里显示为L的产品(也就是说，它只支持DDR 200的工作频率)，那么就算内存条上贴的标签或者包装盒上吹的再好，它也只是一款低档产品。

常见SDRAM 编号识别

维修SDRAM内存条时，首先要明白内存芯片编号的含义，在其编号中包括以下几个内容：厂商名称(代号)、容量、类型、工作速度等，有些还有电压和一些特殊标志等。通过对这些参数的分析比较，就可以正确认识和理解该内存条的规格以及特点。

(1)世界主要内存芯片生产厂商的前缀标志如下：

▲ HY HYUNDAI ------- 现代

▲ MT Micron ------- 美光

▲ GM LG-Semicon

▲ HYB SIEMENS ------ 西门子

▲ HM Hitachi ------ 日立

▲ MB Fujitsu ------ 富士通

▲ TC Toshiba ------ 东芝

▲ KM Samsung ------ 三星

▲ KS KINGMAX ------ 胜创

(2)内存芯片速度编号解释如下:

★ -7 标记的SDRAM 符合 PC143 规范,速度为7ns.

★ –75标记的SDRAM 符合PC133规范,速度为7.5ns.

★ –8标记的SDRAM 符合PC125规范,速度为8ns.

★ –7k/-7J/10P/10S标记的SDRAM 符合PC100规范,速度为10ns.

★ –10K标记的SDRAM符合PC66规范,速度为15ns.

(3) 编 号 形 式

HY 5a b ccc dd e f g h ii-jj

其中5a中的a表示芯片类别,7---SDRAM; D—DDR SDRAM.

b表示电压,V—3.3V; U---2.5V; 空白—5V.

CCC表示容量,16—16M; 65—64M; 129—129M; 256—256M.

dd表示带宽。

f表示界面，0—LVTTL; 1—SSTL(3); 2—SSTL_2.

g表示版本号，B—第三代。

h表示电源功耗， L—低功耗; 空白—普通型。

ii表示封装形式， TC—400mil TSOP—H.

jj表示速度，7—143MHZ; 75—133MHZ;8—125MHZ;

10P—100MHZ(CL=2);10S—100MHZ(CL=3)

10—100MHZ(非PC100)。

例：1) HY57V651620B TC-75

按照解释该内存条应为：SDRAM， 3.3V, 64M, 133MHZ.

2) HY57V653220B TC-7

按照解释该内存条应为：SDRAM， 3.3V, 64M, 143MHZ

全球主要内存芯片生产厂家(掌握内存芯片生产技术的厂家主要分布在美国、韩国、日本、德国、台湾)：

序号 品牌 国家/地区 标识 备注

1 三星 韩国 SAMSUNG

2 现代 韩国 HY

3 乐金 韩国 LGS 已与HY合并

4 迈克龙 美国 MT

5 德州仪器 美国 Ti 已与Micron合并

6 日电 日本 NEC

7 日立 日本 HITACHI

8 冲电气 日本 OKI

9 东芝 日本 TOSHIBA

10 富士通 日本 F

11 西门子 德国 SIEMENS

12 联华 台湾 UMC

13 南亚 台湾 NANYA

14 茂矽 台湾 MOSEI